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NSV1C201LT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V SOT23 LOW V-SAT

发布时间2022-5-18 11:29:00关键词:NSV1C201LT1G
摘要

供应原装现货NSV1C201LT1G ON/安森美 SOT-23-3 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

NSV1C201LT1G

NSV1C201LT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V SOT23 LOW V-SAT

产品属性 属性值 、

制造商: onsemi

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极max电压 VCEO: 100 V

集电极—基极电压 VCBO: 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V

集电极—射极饱和电压: 30 mV

直流电集电极电流: 2 A

Pd-功率耗散: 490 mW

增益带宽产品fT: 110 MHz

工作温度: - 55 C to + 150 C

资格: AEC-Q101

系列: NSS1C201L

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi

集电极连续电流: 2 A

直流集电极/Base Gain hfe Min: 120

直流电流增益 hFEmax: 360 at 500 mA, 2 V

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors

标准包装:3000

子类别: Transistors

技术: Si

单位重量: 8 mg

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