IPG20N10S4L-35 英飞凌 MOSFET 原装现货
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 13.4 nC
工作温度: - 55 C to + 175 C
Pd-功率耗散: 43 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 13 ns
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 2 ns
系列: XPG20N10
标准包装：5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 3 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: IPG2N1S4L35XT SP000859022 IPG20N10S4L35ATMA1
单位重量: 104.400 mg
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